SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base: SIJ188