SCT040H65G3AG STMicroelectronics Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 221W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: H2PAK-7
Confezione / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA