BSS223PWL6327 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 390mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3-3
Confezione / Custodia: SC-70, SOT-323