RM1A4N150S6 Rectron USA Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Rectron USA
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.4A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Tc)
Temperatura di esercizio: -50°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6
Confezione / Custodia: SOT-23-6