RM4N650LD Rectron USA Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Rectron USA
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 280 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-2
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63