RD3G03BBGTL1 Rohm Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 35A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63