SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 18.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1915 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base: SI7116