SQJ123ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 238A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® SO-8