SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base: SIRA20