FS30AS-2-T13#B00 Renesas Electronics America Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: MP-3A
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63