BS170 NTE Electronics, Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92
Confezione / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads