PMN40UPEA115 NXP USA Inc. Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4.7A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP
Confezione / Custodia: SC-74, SOT-457