Produttore: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 175W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Confezione / Custodia: TO-220-3
