IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB