RJK0702DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 75 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP
Confezione / Custodia: TO-220-3 Full Pack