IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-5-1
Confezione / Custodia: 5-PowerSFN
Numero di prodotto di base: IST019N