IXTH1N250 IXYS Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: IXYS
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 2500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: IXTH1