RW1C015UNT2R Rohm Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT
Confezione / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Numero di prodotto di base: RW1C015