PMN50EPEX Nexperia USA Inc. Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4.6A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP
Confezione / Custodia: SC-74, SOT-457
Numero di prodotto di base: PMN50