SIAA00DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-70-6
Confezione / Custodia: PowerPAK® SC-70-6
Numero di prodotto di base: SIAA00