DMN2011UFDF-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 14.2A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type F)
Confezione / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base: DMN2011