SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9.7A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Confezione / Custodia: 4-UFBGA
Numero di prodotto di base: SI8481