IRF6811STRPBF International Rectifier Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: International Rectifier
Serie: DirectFET®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DirectFET??Isometric SQ
Confezione / Custodia: DirectFET??Isometric SQ