LND150N3-G-P013 Microchip Technology Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Microchip Technology
Serie: -
Pacchetto: Tape & Box (TB)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30mA (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Caratteristica FET: Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Confezione / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base: LND150