1HN04CH-TL-W onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 270mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 15 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): -
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: 1HN04