DMT67M8LCGQ-7 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 16A (Ta), 64.6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 900mW (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3333-8 (Type B)
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base: DMT67