IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.5A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 22W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base: IPS80R2