DMTH10H015SK3Q-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 59A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak)
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: DMTH10