2SK3479-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263, TO-220SMD
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB