NVMJS1D4N06CLTWG onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK
Confezione / Custodia: SOT-1205, 8-LFPAK56
Numero di prodotto di base: NVMJS1