TN0106N3-G-P013 Microchip Technology Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Microchip Technology
Serie: -
Pacchetto: Tape & Box (TB)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 350mA (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Confezione / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base: TN0106