IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??G7
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Confezione / Custodia: 10-PowerSOP Module
Numero di prodotto di base: IPDD60