NVH4L020N090SC1 onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 116A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 484W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-4L
Confezione / Custodia: TO-247-4