NVD4806NT4G-VF01 onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK-3
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63