FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.5A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA