AUIRF1010ZL Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262
Confezione / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA