IRF6797MTRPBF International Rectifier Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 36A (Ta), 210A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5790 pF @ 13 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET??MX
Confezione / Custodia: DirectFET??Isometric MX