SIHF640S-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 18A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263)
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base: SIHF640