TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 11.5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Caratteristica FET: Super Junction
Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: TK12P60