SUD35N10-26P-T4GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 35A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: SUD35