IRF350 NTE Electronics, Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 14A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
Confezione / Custodia: TO-204AA, TO-3