Produttore: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Pacchetto: Bag
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 17A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 60W
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220
Confezione / Custodia: TO-220-3
