IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??C7
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 24A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOF-8-2
Confezione / Custodia: 8-PowerSFN
Numero di prodotto di base: IPT65R105