IXFH52N30Q IXYS Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: IXYS
Serie: HiPerFET?? Q Class
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 300 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 52A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD (IXFH)
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: IXFH52