Produttore: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: APT6029
