IXFH6N100F IXYS Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: IXYS
Serie: HiPerFET?? F Class
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 (IXFH)
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: IXFH6