NTB35N15T4G onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 37A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 178W (Tj)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base: NTB35