PJD5NA80_L2_00001 Panjit International Inc. Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Panjit International Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63