RS1E300GNTB Rohm Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base: RS1E