SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Array

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Potenza - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP